美光宣布推出业界首款带宽超过1.2TB/s、引脚速度超过9.2GB/s、8层垂直堆叠的24GB容量HBM3 Gen2，比目前的HBM3提升50%解决方案已发货。
美光宣布推出业界首款24GB容量HBM3 Gen2，带宽超过1.2TB/s，引脚速度超过9.2GB/s，采用8层垂直堆叠，比目前出货的HBM3解决方案高50% 。 美光率先宣布交付下一代 HBM3 内存样品，但 SK 海力士此前透露正在开发 24GB HBM3E 堆栈，将于 2024 年发布。但现在美光显然处于领先地位。
美光表示，HBM3 Gen2产品的每瓦性能是前代产品的2.5倍，创造了人工智能(AI)数据中心性能、容量和电源效率等关键指标的新记录，并可减少大规模应用例如 GPT-4。 语言模型训练时间短，并提供出色的总体拥有成本 (TCO)。 美光还公布了最新的内存路线图。 图中标注了“HBM Next”内存，可能是HBM4内存。 推出时间为2026年左右，容量可达36-64GB，可提供2TB/s+带宽。
美光 HBM3 Gen2 解决方案的基础是其 1β（1-beta）工艺，该工艺将 24GB DRAM 芯片以行业标准封装尺寸形成 8 层垂直堆叠立方体，与目前同类 8 层相比，容量增加了 50%层垂直堆叠解决方案。 %。 此外，美光的新款内存还采用与标准 HBM3 相同的封装，与现有的 HBM3 引脚兼容，减少了改用新内存的麻烦。
