SK海力士宣布将展示全球首款321层NAND闪存。
SK海力士宣布将在美国圣克拉拉举办的2023年闪存峰会（Flash 2023）上首次展示全球首款321层NAND闪存，成为业界首家开发NAND闪存的公司超过300层。 此外，SK海力士还将推出与PCIe 5.0和UFS 4.0相关的新一代NAND闪存解决方案。
此次，SK海力士带来了321层1Tb TLC 4D NAND闪存颗粒，并首次向外界展示现阶段开发的样品，并将介绍开发进展。 SK海力士表示将进一步完善321层NAND闪存，初步计划在2025年上半年进入量产阶段。据SK海力士称，321层1Tb TLC NAND闪存效率为59比上一代238层512Gb提高%。 这是因为数据存储单元可以堆叠得更高，单芯片数量更多，在同一芯片上实现更大的存储容量，从而增加单位晶圆上芯片的产量。
随着近期由Chat GPT引发的生成式AI市场需求的增加，对存储更多数据的高性能、大容量内存的需求也在快速增加。 SK海力士还在本次活动上推出了针对这些需求优化的下一代NAND产品解决方案：企业级固态硬盘（SSD、eSSD）和带有PCIe 5.0接口的UFS 4.0。 SK海力士希望通过这些能够达到世界级领先性能的产品来充分满足追求高性能的客户的需求。
