三星电子今天宣布推出最新的 32Gb DDR5 DRAM，提供业界最高的单 DRAM 芯片容量。
三星电子今天宣布推出最新的 32Gb DDR5 DRAM。 这款DRAM仍然采用三星的12nm工艺技术。 它不仅提供业界最高的单颗DRAM芯片容量，还在相同封装尺寸下将16Gb DDR5的容量提高了一倍。 DRAM 容量。 这项创新使得 128GB DRAM 模块的生产无需使用硅通孔 (TSV) 工艺，同时与 16Gb DRAM 模块相比，功耗降低约 10%。
三星电子 DRAM 产品和技术执行副总裁 Hwang 表示：“凭借我们的 12 纳米级 32Gb DRAM，我们拥有了能够实现高达 1TB DRAM 模块的解决方案，使我们能够满足对大容量 DRAM 不断增长的需求在人工智能时代。” 不断增长的需求。 我们将通过差异化的工艺和设计技术开发 DRAM 解决方案，继续突破内存技术的界限。”
基于12纳米级32Gb DDR5 DRAM，三星计划继续扩大其高容量DRAM产品阵容，以满足计算和IT行业当前和未来的需求。 三星将通过向数据中心和需要人工智能和下一代计算等应用的客户提供 12nm 级 32Gb DRAM 来重申其在下一代 DRAM 市场的领导地位。 该产品还将在三星与其他主要行业参与者的持续合作中发挥重要作用。
